IRF510N Transistor MOSFET Canal N 100V 5.6A TO-220-3 Schmitt-trigger no dañará los dispositivos del

no dañará los dispositivos del usuario

2V por batería • Beneficios Ambientales: Al ser recargables

la salida del módulo es baja y tiene un bajo consumo de energía

compacto y cómodo de usar

• Conectividad WiFi integrada para comunicación en red

IRF510N Transistor MOSFET Canal N 100V 5.6A TO-220-3 Schmitt-trigger no dañará los dispositivos delEl transistor MOSFET IRF510N es un componente electrnico de potencia ideal para aplicaciones de conmutacin y amplificacin. Es ampliamente utilizado en circuitos electrnicos por su capacidad para manejar altas corrientes y voltajes, con una resistencia de encendido baja y alta eficiencia. ESPECIFICACIONES TCNICAS Tipo: N Channel MOSFET Tensin Mxima de Drenaje Fuente (VDS): 100 V Corriente Mxima de Drenaje (ID): 33 A Potencia Mxima Disipada: 43 W