IRF530N Transistor MOSFET Canal N 100V 14A TO-220-3 FUENTE ESPECIFICACIONES TÉCNICAS • Voltaje de

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS • Voltaje de entrada: 110 / 220 VAC ± 15 %• Tensión de salida: 12 VDC• Corriente de salida: 5 A• Potencia: 60 W• Temperatura De trabajo: 0 ~ 40 °C• Temperatura de almacenamiento: - 20 ~ 60 °C• Humedad ambiente: 0 ~ 95 % Sin Condensación CARACTERÍSTICAS • Dimensiones: 8

Para programar los FPGA y CPLD de Altera se utiliza el software Quartus

• Color: Verde

El módulo RFID RC522 incluye también la antena para la lectura / escritura de los tags

• Cantidad de baterías: 6 baterías

IRF530N Transistor MOSFET Canal N 100V 14A TO-220-3 FUENTE ESPECIFICACIONES TÉCNICAS • Voltaje deEl IRF530 es un transistor MOSFET de canal N diseado para aplicaciones que requieren alta eficiencia en la conmutacin y control de potencia. Este componente es ideal para diversas aplicaciones electrnicas gracias a su alta capacidad de manejo de corriente y voltaje, con una excelente respuesta en frecuencia y bajo RDS(on). ESPECIFICACIONES TCNICAS Tecnologa: Silicio (Si) Polaridad del transistor: Canal N Nmero de canales: 1 Voltaje disruptivo entre